Карбід SIC SILICON

Карбід SIC Silicon не має точки плавлення та кипіння в загальному розумінні і має невеликий коефіцієнт теплового розширення та високу теплопровідність. Опір SIC високої чистоти зменшується зі збільшенням температури, а співвідношення між опором і температурою домішок, що містять Сіка, є складним
Карбід SIC Silicon є важливим неорганічним неметалічним матеріалом та напівпровідниковим матеріалом третього покоління.
Карбід SIC Silicon - це своєрідний матеріал з високою твердістю, високою температурою плавлення, високою хімічною стабільністю, хорошою теплопровідністю та відмінними електричними властивостями.
Його можна використовувати в абразивах, рефрактерах, хімічних речовинах, електронних пристроях, автомобільних та ядерних енергетичних полях.
У полі електронної упаковки можна використовувати як пакувальний матеріал для швидкого проведення тепла; У галузі стійкого до зносу покриття можна використовувати для приготування стійкого до зносу покриття, покращення терміну служби механічних деталей, інструментів тощо; У галузі оптики його можна використовувати для виготовлення ультрафіолетових детекторів, оптичних вікон тощо
Коефіцієнт цін: Сировина напівпровідникового класу має високі вимоги до чистоти, високі витрати на очищення, а їх витрати часто 3-5 разів, коли продукція сировини промислового класу, а попит на оновлення технологій може підвищити ціни в короткостроковій перспективі.