SiC широко використовується в багатьох галузях завдяки його відмінним характеристикам, особливо в силових електронних пристроях і мікрохвильових радіочастотних пристроях. Завдяки стійкості до високої напруги, температурі, високій частоті та низьким втратам карбід кремнію вважається лідером серед «напівпровідникових матеріалів третього покоління» та широко використовується у виробництві високо-потужних пристроїв.
